图（上图）平台局部图 （下图）台积电40nm 应用于硅基、硅自旋量子的混合信号CMOS芯片

集成电路与电子学中心围绕量子计算和量子测量的模拟/射频/混合信号集成电路设计、量子计算的低温测控集成电路设计和低温电子器件的研究开展工作，以设计支撑大规模量子计算所需要的集成电路和低温电子器件为目标，为量子计算的不同技术路线提供成体系、高集成、可扩展的通用测控解决方案，建立一支学科交叉、工程研发经验丰富的高水平团队。目前，该科研平台已建成约255平米的电学实验室，具有重要科研设备6套，包括3套EDA设计软硬件平台、1台半导体分析仪、1套4K低温恒温测试系统、以及1套低温探针台。在芯片设计方面，中心已完成多次流片项目，包括应用于硅基量子混合信号的台积电40nmCMOS芯片的设计、面向超导量子比特测控的GaAs 0.25μm pHEMT工艺的低温低噪声放大器芯片及阵列设计等，其中，40nmCMOS芯片正在进行低温表征。在量子计算通用测控系统研究方面，专为大规模量子物理实验平台的测控需求，自研了一套囚禁离子集成测控系统的RTMQ架构，可实现大规模、分布式系统中通用计算和实时控制的纳秒级细粒度交互。