5月29日下午，由量子研究院党委主办，量子工程应用（深圳市量子信息学会）党支部承办的第4期卓粤工程技术论坛在518报告厅举办。论坛汇聚了量子工程领域的专家学者，吸引了院内众多师生到场交流。

此次论坛聚焦量子工程领域的热点话题，围绕PVD设备工艺能力、低压化学气相沉积系统设备、等离子体增强化学气相沉积技术等多个前沿领域，深入探讨了这些技术在量子科学及先进材料研发中的应用与挑战。

PVD设备工艺能力介绍

曹缘工程师简单介绍了PVD的背景及芯片中心PVD设备的工艺能力。她指出，目前实验室千级区物理气相沉积（PVD）设备现包含了可沉积八英寸薄膜的大尺寸电子東镀膜系统、沉积约瑟夫森结的超高真空多功能三腔体电子東蒸镀系统以及铟专用蒸发系统等，部分设备均匀性在八英寸范围高达+2%，具备兼容8英寸及以下的晶圆微纳加工能力。

低压化学气相沉积系统设备介绍

LPCVD即低压化学气相沉积，是种在较低压力下进行化学气相沉积的技术。由于LPCVD技术具有沉积速率快、膜层均匀性好、纯度高、可制备多种材料等优点，被广泛应用于半导体、光电子等领域。徐妙工程师从LPCVD技术简介、工艺设备及原理、中心现有设备工艺能力介绍与发展现状四个方面对低压化学气相沉积系统设备进行了介绍。

等离子体增强化学气相沉积技术简介

张颖工程师详细讲解了等离子体增强化学气相沉积技术，结合等离子体增强化学气相沉积设备，介绍了PECVD的基本原理、独特特点、关键工艺参数及其应用情况。

本次论坛内容丰富、精彩纷呈，提供了一个高效交流与展示的平台，也拓宽了研究院师生的专业视野，整体体现了研究院实验室在先进技术领域的全面布局和深厚实力，为相关领域的研究与应用提供了有力支持。