logo
黄佳裕
工程师
工作地点: 国量院519
邮箱:huangjiayu@iqasz.cn
研究方向:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延片生长及检测

一、个人简介

本人目前的工作内容主要围绕Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAs、AlGaAs、InGaAs等)外延片生长与检测展开。在外延生长环节,确定外延片生长温度、生长速率、组分比例等工艺,确保外延片满足实验需求。在检测环节,采用SEM、AFM、XRD等多维度检测手段,系统评估材料电学、光学及表面特性,确保外延片质量符合器件设计要求。


二、教育背景

2020.09-2023.06    深圳大学 物理学 硕士

2016.09-2020.07    东华理工大学 物理学 本科

三、工作经历

2024.04-至今    深圳国际量子研究院 工程师

2023.07-2024.04    聚光科技股份有限公司 工程师


四、代表性成果

1. 谭浩;苏向斌;黄谦睿;刘冰;刘骏秋;黄佳裕。晶圆固定结构,中国,CN222524757U,2025-02-25

2. Jiayu Huang, Haifeng Lin, Chunyu Guo, Jintao Wang, Junbo Yang, Peiguang Yan. Enhanced cascaded up-conversion from periodically poled lithium niobate in a double-pass configuration [J]. Infrared Physics & Technology, 2022, 124.

3. Haifeng Lin, Jiayu Huang, Chunyu Guo, Jintao Wang, Junbo Yang, Peiguang Yan. Generation of high-power multiple-octave supercontinuum from fan-out periodically poled lithium niobate [J]. Journal of Luminescence, 2022, 252.

4. 黄佳裕, 林海枫, 闫培光. 高效率宽调谐扇形MgO:PPLN中红外光参量振荡器 [J]. 红外与激光工程, 2023, 52(05):114-119.